ER3DSMB

ER3ASMB ... ER3JSMB ER3ASMB ... ER3JSMB Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug IFAV = 3 A VF1 < 0.90 V Tjmax = 150°C VRRM = 50...600 V IFSM = 112/125 A trr < 35 ns Version 2019-08-06 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5.4± 0.5 3.7 Type Typ Features Low reverse recovery High surge current capability Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 4.6 Besonderheiten Niedriger Sperrverzug Hohe Stoßstromfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) 2 0.15 Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Schnelles Schalten Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EE WE ± 0.3 1.1 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High speed switching Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) EL V SMB ~ DO-214AA 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle ± 0.5 Dimensions - Maße [mm] Weight approx. 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ER3ASMB 50 50 ER3BSMB 100 100 ER3DSMB 200 200 ER3GSMB 400 400 ER3JSMB 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 22 A 3) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 112 A 125 A t < 10 ms i2t 62 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing Grenzlastintegral Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ER3ASMB ... ER3JSMB Characteristics Type Typ Kennwerte Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Tj = 25°C Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ER3ASMB...ER3DSMB < 35 < 0.90 3 ER3GSMB < 35 < 1.25 3 ER3JSMB < 35 < 1.7 3 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA VR = 4 V Cj 15 pF Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 50 K/W 2) Typical thermal resistance junction to terminal Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL 15 K/W 10 120 [%] [A] 100 1 ER3A...DSMB ER3GSMB 80 ER3JSMB 60 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 0 TT 50 100 150 10-3 [°C] Tj = 25°C VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG