ES1G

ES1A ... ES1J ES1A ... ES1J Superfast Efficient Surface Mount Rectifier Diodes Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2011-10-04 Nominal current – Nennstrom 5± 0.2 2.2± 0.2 2.1± 0.1 1A 50...600 V ~ SMA ~ DO-214AC 0.07 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1± 0.3 2.7± 0.2 Type Typ 0.15 1.5 4.5 ± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1J Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 150 200 300 400 600 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 150 200 300 400 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TT = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t 1A 6 A 1) 30/33 A 4.5 A2s -50...+150°C -50...+150°C TS Tj 1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 ES1A ... ES1J Characteristics Type Typ ES1A...ES1D ES1F...ES1G ES1J Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) < 15 < 25 < 35 Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 0.92 < 1.3 < 1.7 Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR RthA RthT 1 1 1 < 5 µA < 100 µA < 70 K/W 2) < 30 K/W 120 [%] 100 10 [A] 1 ES1A...D 80 ES1F...G ES1J 60 0.1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] IF 10 -3 Tj = 25°C VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2