ES1J-AQ

ES1A ... ES1J ES1A ... ES1J IFAV = 1 A VF < 0.92...1.7 V Tjmax = 150°C Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad VRRM = 50...600 V IFSM = 30/33 A trr < 15...35 ns Version 2020-01-27 Typical Applications Rectification of higher frequencies High efficient switching stages Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) 2.2± 0.2 2.1± 0.2 5± 0.2 + 0.1 0.15 Type Typ Besonderheiten Extrem niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2.7± 0.2 Features Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) 1.5±0.1 ± 0.3 1.1 Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) EL V SMA ~ DO-214AC Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled ± 0.3 4.5 7500 / 13“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) ES1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 50 ES1B/-Q 100 100 ES1C 150 150 ES1D/-Q 200 200 ES1F 300 300 ES1G 400 400 600 600 ES1J/-AQ 480 Average forward current Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung TT = 100°C IFAV 1A f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 6A Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 30 A 33 A t < 10 ms i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Rating for fusing Grenzlastintegral Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ES1A ... ES1J Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Tj = 25°C Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ES1A, ES1B/-Q...ES1D/-Q < 15 < 0.92 1 ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1 ES1J/-AQ < 35 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss IR < 5 µA < 100 µA RthA RthT 70 K/W 2) 30 K/W 10 120 [%] [A] 100 ES1A...D 1 ES1F...G 80 60 ES1J 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1 ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 10 VF Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] Tj = 85°C 1 [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Tj = 125°C [µA] 10 Tj = 25°C Tj = 25°C -1 10-2 Cj IR 10-3 0 VRRM 40 60 [%] VR 100 [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG