ES3B

ES3A ... ES3J ES3A ... ES3J Superfast Efficient Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2013-12-11 ±0.2 2.2 ±0.3 2.1±0.2 7.9 1.2 0.15 Nominal current Nennstrom 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...600 V Type Typ 3 5.8±0.2 Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMC ~ DO-214AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.21 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 7.2±0.5 Dimensions - Maße [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ES3A 50 50 ES3B 100 100 ES3C 150 150 ES3D 200 200 ES3F 300 300 ES3G 400 400 ES3J 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 15 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 115/125 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 TS Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ES3A ... ES3J Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ES3A...ES3D < 20 < 0.9 3 ES3F...ES3G < 25 < 1.3 3 ES3J < 35 < 1.5 3 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR < 5 µA < 500 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL < 10 K/W 10 120 [%] [A] ES3A...D 100 1 80 ES3F...G 60 ES3J 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10 0 TT 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 2 Tj = 25°C -3 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG