ES3D

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  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    SMC(DO-214AB)

  • 描述:

    耐压:200V 电流:3A 反向恢复时间:20NS

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ES3D 数据手册
ES3A ... ES3D ES3A ... ES3D Superfast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2011-10-17 7.9 2.2±0.2 ±0.2 Nominal current Nennstrom ±0.1 3A 50...200 V ~ SMC ~ DO-214AB 0.21 g 1.2 0.15 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 2.1 5.8±0.2 Type Typ Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 7.5 ±0.2 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ ES3A ES3B ES3C ES3D Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 150 200 TT = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t 3 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 150 200 3A 15 A 1) 100 A 50 A2s -50...+150°C -50...+150°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj 1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 ES3A ... ES3D Characteristics Type Typ ES3A...ES3D Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) < 20 Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 0.9 Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR RthA RthL 3 < 10 µA < 500 µA < 40 K/W 2) < 10 K/W 120 [%] 100 10 [A] 1 ES3A...D 80 60 0.1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] IF 10 -3 Tj = 25°C VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
ES3D
1. 物料型号: - ES3A - ES3B - ES3C - ES3D

2. 器件简介: - 这些是超快速开关表面贴装硅整流二极管,用于表面贴装。

3. 引脚分配: - 这些器件为单向导电的二极管,具有两个引脚:阳极(Anode)和阴极(Cathode)。

4. 参数特性: - 重复峰值反向电压(VRRM):ES3A为50V,ES3B为100V,ES3C为150V,ES3D为200V。 - 浪涌峰值反向电压(VRSM):与VRRM相同。 - 最大平均整流电流(IFAV):3A。 - 重复峰值正向电流(IFRM):15A。 - 正向浪涌电流(IFSM):100A。 - 熔断额定值(i2t):50A²s。 - 存储温度范围:-50°C至+150°C。 - 封装材料:UL94V-0。

5. 功能详解: - 这些二极管具有超快速开关特性,适用于高频电路。 - 正向电压(VF)在IF=0.5A时小于0.9V。 - 反向恢复时间(trr)小于20ns。 - 漏电流(IR)在Tj=25°C时小于10µA,在Tj=100°C时小于500µA。 - 热阻:从结到空气(RthA)小于40K/W,从结到引脚(RthL)小于10K/W。

6. 应用信息: - 适用于需要超快速开关和高频率整流的应用,如电源管理、变频器等。

7. 封装信息: - 封装类型为SMC(表面贴装型)DO-214AB。 - 重量约为0.21g。 - 标准包装为胶带缠绕和卷绕。

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