ES3JSMB

ES3JSMB IFAV = 3 A VF < 1.7 V Tjmax = 150°C ES3JSMB Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Superschnelle Epitaxial SMD-Gleichrichterdioden VRRM = 600 V IFSM = 115/125 A trr < 30 ns Version 2015-10-15 ± 0.5 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5.4 1.1 0.15 Typical Applications Rectification of high frequencies, Free-wheeling diodes, Power factor correction Commercial grade 1) Features Very low reverse recovery time Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen, Freilaufdioden, Leistungsfaktorkorrektur Standardausführung 1) RoHS EE WE Pb EL V ~ SMB / ~ DO-214AA 3.7 2 ± 0.3 Mechanical Data 1) Type Typ Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 13“ Weight approx. 4.6 ± 0.5 Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Sehr niedrige Sperrverzugszeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Gegurtet auf Rolle 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] ES3JSMB Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom TC = 115°C IFRM 15 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 115/125 A Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ES3JSMB Characteristics 1) Kennwerte 1) Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 2) ES3JSMB Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 30 < 1.7 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität 3 VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA VR = 4 V Cj 45 pF Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 50 K/W 3) Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL < 15 K/W 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 Tj = 25°C 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TT 100 50 150 [°C] 10 103 [µA] 10 [V] 3 [A] Tj = 125°C 2 VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 10 2 Tj = 100°C 10 10 3 .1 4 IFAV îF 1 1 Tj = 25°C VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 2 3 2 1 10 10 2 [n ] 1 03 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz IR 10-1 0 IFAV Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG