F1200A_11

F1200A ... F1200G F1200A ... F1200G Superfast Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2011-03-14 Nominal Current Nennstrom Ø8 ±0.1 12 A 50...400 V Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style 1.3 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5 ±0.5 Type Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ F1200A F1200B F1200D F1200G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C 7,5 ±0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj TS 12 A 1) 80 A 1) 375/390 A 680 A2s -50...+150°C +200°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 F1200A ... F1200G Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25°C IF = 5 A VF IR trr RthA RthL Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 125°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Kennwerte < 0.82 V < 10 µA typ. 40 µA < 200 ns < 10 K/W 1) < 2 K/W Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht 120 [%] 100 [A] 102 80 10 103 Tj = 125°C 60 Tj = 25°C 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-1 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 104 [µA] 103 Tj = 150°C 102 Tj = 125°C 10 IR 1 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. reverse voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Tj = 25°C 2