F1200A ... F1200G
F1200A ... F1200G
Superfast Silicon-Rectifiers Superschnelle Silizium-Gleichrichter Version 2007-05-09 Nominal Current Nennstrom
Ø8
±0 .1
12 A 50...400 V Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style 1.3 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0 .5
62.5
Ø 1.2
±0 .05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Type Typ F1200A F1200B F1200D F1200G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t
7,5
Type
±0.1
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 12 A 1) 80 A 1) 375/390 A 680 A2s
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage bei reduzierter Sperrspannung Storage temperature – Lagerungstemperatur
VR ≤ 80% VRRM VR ≤ 20% VRRM
Tj Tj TS
-50...+150°C -50...+200°C -50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
F1200A ... F1200G Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 5 A VR = VRRM VF IR trr RthA RthL Kennwerte < 0.82 V < 25 µA < 200 ns < 10 K/W 1) < 2 K/W
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
120 [%] 100
103 [A] 102
Tj = 125°C
80
Vr < 20% Vrrm
60
10
Tj = 25°C
40
Vr < 80% Vrrm
1 IF 10-1
400a-(5a- 0,8v)
20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C]
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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- 1+45.031261+5.46960
- 5+14.661345+1.78080
- 25+7.3830325+0.89676
- 39+6.1874439+0.75154
- 90+5.8645490+0.71232
- 国内价格 香港价格
- 10+2.7926410+0.33920
- 25+2.4793425+0.30115
- 100+2.43920100+0.29627
- 250+2.39905250+0.29140
- 500+2.35978500+0.28663