FE1A_07

FE1A ... FE1G FE1A ... FE1G Superfast Switching Silicon-Rectifiers Superschnelle Silizium-Gleichrichter Version 2005-11-08 Nominal current Nennstrom Ø3 ±0.05 1A 50...400 V DO-15 (DO-204AC) 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5±0.5 Type Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ FE1A FE1B FE1D FE1F FE1G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 300 400 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 300 400 TA = 75°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 6.3 ±0.1 Grenzwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF at/bei IF = 1 A < 0.95 < 0.95 < 0.95 < 0.95 < 1.25 1 A 1) 10 A 1) 30/33 A 4.5 A2s -50...+175°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 FE1A ... FE1G Characteristics Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to lead Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C VR = VRRM IR trr RthA RthL IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Kennwerte < 2 µA < 50 ns < 45 K/W 1) < 15 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 FE1A... FE1F FE1G 80 Tj = 125°C 60 1 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] -1 Tj = 25°C IF 10 -2 30a-(1a-0.95/1.25v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2