FE1G

FE1A ... FE1G FE1A ... FE1G Superfast Recovery Rectifier Diodes Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug IFAV = 1 A VF < 0.98...1.3 V Tjmax = 175°C VRRM = 50...400 V IFSM = 30/33 A trr < 50 ns Version 2015-11-20 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High speed switching Commercial grade 1) ±0.05 ±0.1 Besonderheiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) 6.3 Type 62.5 -4.5 Features Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EE WE +0.5 Ø3 Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Schnelles Schalten Standardausführung 1) EL V ~DO-15 / ~DO-204AC Ø 0.8 ±0.05 Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] FE1A 50 50 FE1B 100 100 FE1D 200 200 FE1G 400 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30/33 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG FE1A ... FE1G Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Forward voltage Durchlass-Spannung trr [ns]1) VF [V] FE1A ... FE1D < 50 < 0.98 1 FE1G < 50 < 1.30 1 Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität at / bei IF = [A] VR = VRRM IR < 2 µA VR = 4 V Cj 10 pF Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 120 102 [%] [A] 100 FE1A... FE1D FE1G 10 80 Tj = 125°C 1 60 40 Tj = 25°C 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 30a-(1a-0.95/1.25v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG