FR20AAD2

FR20AAD2 ... FR20GKD2 FR20AAD2 ... FR20GKD2 Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten Version 2010-09-22 1.2 4.5 ±0.2 10.25 ±0.5 4 Type Typ Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1.3 20 A 50...400 V TO-263AB D²PAK 1.8 g 1 2 3 0.8 0.4 5.08 Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. 4 4 K 123 123 A Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type / Typ Polarity / Polarität K (Standard) FR20AKD2 FR20BKD2 FR20DKD2 FR20GKD2 A (Reverse) FR20AAD2 FR20BAD2 FR20DAD2 FR20GAD2 50 100 200 400 50 100 200 400 TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt. Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng. VRRM [V] VRSM [V] Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A < 0.84 < 0.84 < 0.84 < 0.84 IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj TS IF = 20 A < 0.96 < 0.96 < 0.96 < 0.96 20 A 80 A 2) 375/390 A 680 A2s -50...+150°C +200°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 FR20AAD2 ... FR20GKD2 Characteristics Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR trr RthC Kennwerte < 25 µA < 250 µA < 200 ns < 1.5 K/W IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 120 [%] 100 10 3 [A] 102 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses -1 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG