FT2000AA_10

FT2000AA ... FT2000KG FT2000AA ... FT2000KG Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten Version 2010-03-31 1.2 ±0.2 2.8±0.3 10.1±0.3 Ø 3.8 4 ±0.2 Nominal current Nennstrom 4 20 A 50...400 V TO-220AC 1.8 g 8.7 Type Typ ±0.3 4.5±0.2 14.9±0.4 A 3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen ±0.3 1 ±0.3 3 1 3 .9 4 2.67±0.2 0.42±0.4 1 3 .9 1.3 ±0.1 K 3 0.8±0.2 5.08±0.1 1 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type / Typ Polarity / Polarität K (Standard) FT2000KA FT2000KB FT2000KD FT2000KG A (Reverse) FT2000AA FT2000AB FT2000AD FT2000AG 50 100 200 400 50 100 200 400 TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt. Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng. VRRM [V] VRSM [V] Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A < 0.84 < 0.84 < 0.84 < 0.84 IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj TS IF = 20 A < 0.96 < 0.96 < 0.96 < 0.96 20 A 80 A 2) 375/390 A 680 A2s -50...+150°C +200°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 FT2000AA ... FT2000KG Characteristics Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C VR = VRRM IR Kennwerte < 25 µA < 200 ns < 1.5 K/W IF = 0.5 A through/über trr IR = 1 A to IR = 0.25 A RthC 120 [%] 100 10 3 [A] 102 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses -1 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG