FX2000B

FX2000A ... FX2000G FX2000A ... FX2000G Superfast Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2010-06-23 Nominal Current Nennstrom Ø 8±0.1 20 A 50...400 V Ø 8 x 7.5 [mm] 2.0 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5±0.5 Ø 1.6 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ FX2000A FX2000B FX2000D FX2000G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C 7.5±0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj TS 20 A 1) 80 A 1) 375/390 A 680 A2s -50...+150°C +200°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 FX2000A ... FX2000G Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25°C IF = 5 A IF = 20 A VF VF IR IR trr RthA RthL Kennwerte < 0.82 V < 0.94 V < 25 µA < 200 µA < 200 ns < 8 K/W 1) < 1.5 K/W Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht 120 [%] 100 10 3 [A] 10 2 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-1 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2