FX2000F

FX2000A ... FX2000G FX2000A ... FX2000G Fast Efficient Rectifier Diodes Schnelle Gleichrichterdioden für hohen Wirkungsgrad IFAV = 20 A VF1 < 0.82 V Tjmax = 150°C VRRM = 50...400 V IFSM = 650/715 A trr < 200 ns Version 2020-04-05 Typical Applications Rectification of medium frequencies Free-wheeling diodes, Polarity Protection, Solar Bypass diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) ±0.1 ±0.1 7.5 Type 62.5 ±1.0 Ø8 Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Niedriger Wärmewiderstand Hohe Stoßstromfestigkeit Gehäuse kleiner als Industriestandard Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE Features Low forward voltage drop Low thermal resistance High forward surge capability Package smaller than industry standard Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V Ø 8 x 7.5 (~P600) Typische Anwendungen Gleichrichtung mittlerer Frequenzen Freilaufdioden, Verpolschutz Solar-Bypassdioden Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) Ø 1.6 ±0.05 Taped in ammo pack Weight approx. Dimensions - Maße [mm] 500 Gegurtet in Ammo-Pack 2.0 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 50 FX2000B/-Q 100 100 FX2000D 200 200 FX2000F 300 300 FX2000G 400 400 FX2000A Average forward current – Dauergrenzstrom TA = 50°C IFAV 20 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TA = 50°C IFRM 130 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 650 A 715 A t < 10 ms i2t 2112 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj -50...+150°C +200°C 4,5) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C Rating for fusing – Grenzlastintegral 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at TA at 10mm distance from case – Gilt, wenn die Anschlüsse in 10mm vom Geh. auf TA gehalten werden For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FX2000A ... FX2000G Characteristics Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A IF = 20 A VF < 0.82 V < 0.94 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 200 µA trr < 200 ns Cj 430 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 8 K/W 1) Typical Thermal resistance junction to leads Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL 1.5 K/W 2) 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG