FX20K120

FX20K120 FX20K120 Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2010-06-23 Nominal current Nennstrom Ø8 ±0.1 20 A 120 V Ø 8 x 7.5 [mm] 2.0 g Stand off voltage Sperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5±0.5 Ø 1.6 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type Typ Stand-off voltage Sperrspannung VWM [V] FX20K120 120 Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM ID [µA] 5 Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Breakdown voltage Abbruch-Spannung VBR min [V] 130 @ IT [mA] 5 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5A < 0.82 IF = 20A < 0.94 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 7.5±0.1 TA = 50°C TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV Ptot IFRM IFSM i2t Tj Tj TS 20 A 2) 12 W 80 A 1) 375/390 A 680 A2s -50...+175°C +200°C -50...+175°C 1 2 Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 FX20K120 Characteristics Leakage current Sperrstrom ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 100°C C = 100pF VR = VWM VR = VWM R = 1.5kΩ PPPM IPPM trr RthA RthL IR IR Kennwerte < 5 µA < 200 µA 20 kV 1500 W 230 A < 300 ns < 8 K/W 3) < 1.5 K/W 10/1000µs pulse 1) TA = 25°C 8/20µs pulse 2) TA = 25°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 120 [%] 100 10 3 [A] 10 2 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10-1 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 3 See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2 FX20K120 tr = 10 µs 100 [%] 80 100 [%] 80 tr = 8 µs 60 PPPM/2 IPPM/2 60 PPPM/2 IPPM/2 40 IPP 20 PPP 0 0 40 IPP 20 PPP 1 2 3 [ms] 4 0 0 tP t 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform tP t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3