GBI10A

GBI10A ... GBI10M GBI10A ... GBI10M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2006-01-04 4.8 ±0.2 30 ±0.2 ±0.2 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 10 A 50...1000 V 30 x 3.6 x 18 [mm] 7g 3.8 Type Typ ±0.2 20 + 2.2 1.0 10 ~ ~ 4 – ±0.2 11 ±0.2 3.1 17.5±0.2 ±0.2 Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton 2x7.5 0.8 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ GBI10A GBI10B GBI10D GBI10G GBI10J GBI10K GBI10M Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 IFRM IFSM i2t 40 A 2) 180/200 A 160 A2s -50...+150°C -50...+150°C 5 ± 10% lb.in. 0.5 ± 10% Nm Tj TS 1 2 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 GBI10A ... GBI10M Characteristics Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech Max. rectified current with forced cooling Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse TA = 50°C TC = 100°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load R-load C-load IF = 5 A VR = VRRM IFAV IFAV IFAV IFAV VF IR RthJA RthJC Kennwerte 3.0 A 1) 2.4 A 1) 10.0 A 8.0 A < 1.1 V 2) < 10 µA < 22 K/W 1) < 2.2 K/W Type Typ GBI10A GBI10B GBI10D GBI10G GBI10J GBI10K GBI10M Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] 20000 10000 5000 2500 1500 1000 800 Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand RL [Ω] 0.25 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 5.5 120 [%] 100 103 [A] 102 80 10 Tj = 125°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 -1 Tj = 25°C 225a-(5a-1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2