GBI35B

GBI35A ... GBI35M GBI35A ... GBI35M IFAV = 35 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C Single Phase Diode Bridge Rectifier Einphasen-Dioden-Brückengleichrichter VRRM = 50...1000 V IFSM = 320/350 A trr ~ 1500 ns Version 2021-08-11 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification Power Supplies Commercial grade 1) Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung Stromversorgungen Standardausführung 1) RoHS Pb EE WE Features Four diodes in bridge configuration UL recognized, File E175067 Free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) EL V GBI Besonderheit Vier Dioden in Brückenschaltung UL-anerkannt, Liste E175067 Freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays On request: packed in tubes, sufffix -T SPICE Model & STEP File 1) Weight approx. Marking Type / Typ 500 15/1500 Verpackt in Einlagekartons Auf Anfrage: verpackt in Stangen, Suffix -T 7g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A HS Code 85411000 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) GBI35A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) 35 50 GBI35B 70 100 GBI35D 140 200 GBI35G 280 400 GBI35J 420 600 GBI35K 560 800 GBI35M 700 1000 Max. rectified output current free standing Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend R-load C-load TA = 50°C IFAV 5 A 5) 4 A 5) Max. rectified output current with forced cooling Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit forcierter Kühlung R-load C-load TC = 80°C IFAV 35 A 30 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TA = 50°C IFRM 70 A 5) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 320 A 350 A t < 10 ms i2t 512 A2s Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at TA at 5 mm distance from case – Gilt, wenn die Anschlüsse in 5 mm vom Geh. auf TA gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG GBI35A ... GBI35M Maximum ratings Grenzwerte Operating junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 7 ± 10% lb.in. 0.8 ± 10% Nm Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A VF < 1.1 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1) Cj 130 pF 1) Typical thermal resistance junction to ambient (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA 12 K/W 2) Typical thermal resistance junction to case (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC 1.2 K/W Reverse recovery time – Sperrverzug Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität Dimensions - Maße [mm] Type Typ VR = 4 V Recommended protective resistance Empfohlener Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) GBI35A 0.2 GBI35B 0.3 GBI35D 0.5 GBI35G 1.0 GBI35J 1.5 GBI35K 2.0 GBI35M 2.5 120 Admissible load capacitor at Rt Zulässiger Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) 25000 Rt 3) ~ _ 16600 10000 + ~ 5000 CL 3300 4) 2500 2000 10 3 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 Disclaimer: See data book page 2 or website 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 1 2 3 4 2 Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet IF 10-1 450a-(17a-1,05v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG