GBI40M

GBI40D ... GBI40W GBI40D ... GBI40W IFAV = 40 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C Single Phase Bridge Rectifier Einphasen-Brückengleichrichter VRRM = 200...1600 V IFSM = 400/450 A trr ~ 1500 ns Version 2020-09-28 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) ±0.2 1.0 10 2x7.5 2.7 ±0.2 0.8 Dimensions - Maße [mm] 4.6 ±0.2 Features Reverse voltage up to 1600 V High forward surge current rating Free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE 2.2 11 ±0.5 20 ±0.2 Type Typ 5 ±0.2 3.6 17.5 ±0.2 ±0.2 4 ±0.2 30 Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) EL V GBI 30 x 20 x 3.6 Besonderheit Sperrspannung bis zu 1600 V Hohe Stoßstromfestigkeit Freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 500 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 7g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBI40D 140 200 GBI40G 280 400 GBI40J 420 600 GBI40K 560 800 GBI40M 700 1000 GBI40W 800 1600 Max. rectified output current without cooling fin Dauergrenzstrom am Brückenausgang ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV 6 A 5) 5 A 5) Max. rectified output current with forced cooling Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit forcierter Kühlung TC = 100°C R-load C-load IFAV 40 A 35 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom TC = 100°C f > 15 Hz IFRM 70 A 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 400 A 450 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms i2t 700 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 7 ± 10% lb.in. 0.8 ± 10% Nm Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 1 2 3 4 5 1 Half sine-wave Sinus-Halbwelle Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG GBI40D ... GBI40W Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 20 A VF < 1.1 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) trr typ. 1500 ns 1) Cj 95 pF 1) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 11 K/W 2) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.0 K/W Type Typ Rt 3) ~ _ + ~ CL 4) Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) GBI40D 0.5 10000 GBI40G 1.0 5000 GBI40J 1.5 3300 GBI40K 2.0 2500 GBI40M 2.5 2000 GBI40W 3.6 1300 103 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TC 50 100 150 [°C] 450a-(17a-1,05v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 4 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG