GBS4B

GBS4A ... GBS4M GBS4A ... GBS4M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2005-12-21 Nominal current – Nennstrom 3.5 19 Type Typ 4A 50...1000 V 19 x 3.5 x 10 [mm] 1.3 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung _ + 8.7 == ~ 1.2 ~ Plastic case Kunststoffgehäuse 1 10 Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton 0.25 0.8 5 5 5 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ GBS4A GBS4B GBS4D GBS4G GBS4J GBS4K GBS4M Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 16 A 2) 80/90 A 32 A2s -50...+150°C -50...+150°C 1 2 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 GBS4A ... GBS4M Characteristics Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse TA = 50°C TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load R-load C-load IF = 2 A VR = VRRM IFAV IFAV IFAV IFAV VF IR RthA RthC Kennwerte 2.3 A 1) 1.8 A 1) 4A 3.2 A < 1.05 V 2) < 10 µA < 40 K/W < 12 K/W 120 [%] 100 10 2 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-2 90a-(2a-1.05v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2