GBU4A_10

GBU4A ... GBU4M GBU4A ... GBU4M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2010-03-31 21.5 5. 6 3.6±0.2 18.2±0.2 5. 3 ±0.7 3.4 ±0.1 Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton 4A 35...700 V 20.8 x 3.3 x 18 [mm] 3.8 g 1.7±0.1 – GBU ... ~~+ 1.8 2.2 0.5 +0.1 1.1 +0.2 - 0.1 5.08 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G GBU4J GBU4K GBU4M Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 IFRM IFSM i2t Tj TS 30 A 1) 180/200 A 166 A2s -50...+150°C -50...+150°C 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm 1 1 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 GBU4A ... GBU4M Characteristics Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse TA = 50°C TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load R-load C-load IF = 4 A VR = VRRM IFAV IFAV IFAV IFAV VF IR RthC Kennwerte 2.8 A 1) 2.2 A 1) 4.0 A 3.2 A < 1.0 V 2) < 10 µA < 3.3 K/W Type Typ GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G GBU4J GBU4K GBU4M Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] 20000 10000 5000 2500 1500 1000 800 Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand Rt [Ω] 0.25 0.5 1.0 2.0 4.0 5.0 6.5 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-2 180a-(4a-1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2