GBU4D-T

GBU4A ... GBU4M GBU4A ... GBU4M Single Phase Diode Bridge Rectifier Einphasen-Dioden-Brückengleichrichter IFAV = 4 A VF < 1.0 V Tjmax = 150°C VRRM = 50...1000 V IFSM = 135/150 A trr ~ 1500 ns Version 2021-04-21 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) Marking Type/Typ RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Features Four diodes in bridge configuration UL recognized, File E175067 Free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) EL V GBU Besonderheit Vier Dioden in Brückenschaltung UL-anerkannt, Liste E175067 Freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Bulk in cardboard trays Suffix -T: packed in tubes Weight approx. Mechanische Daten 1) 1000 20/1000 Lose in Einlagekartons Suffix -T: verpackt in Stangen 3.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A HS Code 85411000 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBU4A 35 50 GBU4B 70 100 GBU4D 140 200 GBU4G 280 400 GBU4J 420 600 GBU4K 560 800 GBU4M 700 1000 Max. rectified output current free standing Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend R-load C-load TA = 40°C IFAV 2.8 A 5) 2.2 A 5) Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 R-load C-load TC = 100°C IFAV 4.0 A 3.2 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 27 A 5) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 135 A 150 A t < 10 ms i2t 91 A2s Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Leads kept at ambient temperature in 5 mm distance from case – Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf TA gehalten 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG GBU4A ... GBU4M Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 4 A VF < 1.0 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) trr typ. 1500 ns 1) Cj 50 pF 1) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Typical thermal resistance junction to ambient (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA 21 K/W 2) Typical thermal resistance junction to case (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC 3.3 K/W Dimensions – Maße [mm] Type Typ Recommended protective resistance Empfohlener Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) GBU4A 0.25 GBU4B 0.5 GBU4D 1.0 GBU4G 2.0 GBU4J 4.0 GBU4K 5.0 GBU4M 6.5 Admissible load capacitor at Rt Zulässiger Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) 20000 Rt 3) ~ _ 10000 5000 + 2500 ~ 1500 CL 4) 1000 800 102 120 [%] [A] 100 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 10-2 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 180a-(4a-1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 4 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG