GBU8B

GBU8A ... GBU8M GBU8A ... GBU8M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2010-03-31 21.5 5.6 3.6±0.2 18.2±0.2 5.3 ±0.7 3.4 ±0.1 Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton 8A 35...700 V 20.8 x 3.3 x 18 [mm] 7g 1.7±0.1 – GBU ... ~~+ 1.8 2.2 0.5 +0.1 1.1 +0.2 - 0.1 5.08 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ GBU8A GBU8B GBU8D GBU8G GBU8J GBU8K GBU8M Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 IFRM IFSM i2t Tj TS 50 A 2) 270/300 A 375 A2s -50...+150°C -50...+150°C 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 GBU8A ... GBU8M Characteristics Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech Max. rectified current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse TA = 50°C TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load R-load C-load IF = 8 A VR = VRRM IFAV IFAV IFAV IFAV VF IR RthC Kennwerte 5.6 A 1) 4.5 A 1) 8.0 A 6.4 A < 1.0 V 2) < 10 µA < 3.0 K/W Type Typ GBU8A GBU8B GBU8D GBU8G GBU8J GBU8K GBU8M Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] 20000 10000 5000 2500 1500 1000 800 Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand Rt [Ω] 0.2 0.4 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0 120 [%] 100 103 [A] 10 2 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-1 0.4 270a-(12a-1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2