GBU8KG

GBU8KD ... GBU8KG GBU8KD ... GBU8KG Protectifiers® – LowVF Bridge Rectifier with Overvoltage Protection Protectifiers® – LowVF-Brückengleichrichter mit Überspannungsschutz Version 2011-08-25 21.5 5.6 3.6 ±0.2 ±0.7 3.4 ±0.1 Nominal current Nennstrom 18.2±0.2 8A 140 V, 280 V 20.8 x 3.3 x 18 [mm] 7g 5.3 Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton 1.7±0.1 – GBU ... ~~+ 1.8 2.2 0.5+0.1 0.2 1.1+0.1 5.08 Dimensions - Maße [mm] Features Low VF for reduced power losses High inrush surge capability IFSM Reverse overvoltage protection PPPM UL Recognized Product – File E175067 Vorteile Niedriges VF für reduzierte Verluste Hoher Einschalt-Stromstoß IFSM Sperrseitiger Überspannungsschutz PPPM UL-anerkanntes Produkt – File Nr. E175067 Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type Typ GBU8KD GBU8KG Alternating input voltage Eingangswechselspannung VVRMS [V] < 140 < 280 Max. rev. current Max. Sperrstrom 1) ID [µA] @ VWM [V] 400 @ IT [mA] 1 1 Forward voltage Fluss-Spannung 1) VF [V] < 0.9 < 0.9 @ IF [A] 8 8 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS RthC 60 A 2) 300/330 A 450 A2s -50...+150°C -50...+150°C < 3 K/W 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm M3 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 GBU8KD ... GBU8KG Characteristics ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung Reverse Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung in Sperr-Richtung Max. forward peak pulse current Max. Impuls-Strom in Fluss-Richtung C = 100pF R = 1.5kΩ TA = 25°C TA = 25°C PPPM IFPM Kennwerte 10 kV 800 W 120 A 10/1000µs pulse 1) 10/1000µs pulse 1) 120 [%] 100 103 [A] 102 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 IF 10-1 0.4 270a-(12a-1v) 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) tr = 10 µs 100 [%] 80 60 PPPM/2 IPPM/2 40 IPP 20 PPP 0 0 tP t 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2