GBUK8G

GBUK8D ... GBUK8G GBUK8D ... GBUK8G IFAV = 8 A VF < 1.0 V Tjmax = 150°C Low-VF Diode Bridge Rectifier with Overvoltage Protection Low-VF Brückengleichrichter mit Überspannungsschutz VRRM = 50...1000 V IFSM = 180/200 A trr ~ 1500 ns Version 2021-09-23 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification Power Supplies Commercial grade 1) SPICE Model & STEP File 1) Features Four diodes in bridge configuration UL recognized, File E175067 Low VF for reduced power losses High inrush surge capability Reverse overvoltage protection For free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS (exemp. 7a), REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Bulk in cardboard trays Suffix -T: packed in tubes 1000 20/1000 Weight approx. HS Code 85411000 Besonderheit Vier Dioden in Brückenschaltung UL-anerkannt, Liste E175067 Niedriges VF für reduzierte Verluste Hoher Einschalt-Stromstoß IFSM Sperrseitiger Überspannungsschutz Montage freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS (Ausn. 7a), Pb REACH, Konfliktmineralien 1) EE WE Marking Type/Typ Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung Stromversorgungen Standardausführung 1) EL V GBU Lose in Einlagekartons Suffix -T: verpackt in Stangen 3.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Alternating input voltage Eingangswechselspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom 3) Breakdown voltage Abbruch-Spannung Forward voltage Fluss-Spannung 3) VVRMS [V] ID [µA] @ VWM [V] VBR [V] GBUK8D < 140 210 1 < 0.9 GBUK8G < 280 400 1 < 0.9 @ IT [mA] VF [V] Max. rectified output current free standing Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend R-load C-load TA = 40°C IFAV 5.6 A 4) 4.5 A 4) Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 R-load C-load TC = 100°C IFAV 8.0 A 6.4 A f > 15 Hz IFRM 60 A 4) IFSM 300 A 330 A i2t 450 A2s Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C Typical thermal resistance junction to case (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC 3.0 K/W Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave 50 Hz (10 ms) Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) Rating for fusing – Grenzlastintegral 1 2 3 4 1 t < 10 ms Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid per diode – Gültig pro Diode Leads kept at ambient temperature in 5 mm distance from case – Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf TA gehalten http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG GBUK8D ... GBUK8G Characteristics Kennwerte ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF Reverse Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung in Sperr-Richtung 10/1000µs pulse Max. forward peak pulse current Max. Impuls-Strom in Fluss-Richtung 10/1000µs pulse 1) Dimensions – Maße [mm] Type Typ R = 1.5kΩ 10 kV TA = 25°C PPPM 800 W TA = 25°C IFPM 120 A Recommended protective resistance Empfohlener Schutzwiderstand Rt [Ω] 1) GBU8D 0.63 GBU8G 1.27 Admissable load capacitor at Rt Zulässiger Ladekondensator mit Rt CL [µF] 2) 7000 Rt 3) ~ _ 3500 + ~ CL 4) 10 3 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 10-1 0.4 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 270a-(12a-1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 3 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 2 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! Bridge rectifier configuration, with four single diodes connected together Brückengleichrichterkonfiguration mit vier Dioden aufgebaut http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG