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GBV15K

GBV15K

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    SIP4

  • 描述:

    1PH BRIDGE GBU 800V 15A

  • 数据手册
  • 价格&库存
GBV15K 数据手册
GBV15B ... GBV15M GBV15B ... GBV15M IFAV = 15 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C Single Phase Bridge Rectifier Einphasen-Brückengleichrichter VRRM = 100...1000 V IFSM = 210/240 A trr ~ 1500 ns Version 2021-09-23 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) Marking Type/Typ RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Features Budget version of GBU12 series For free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS (exemp. 7a), REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) EL V GBU Besonderheit Budget-Version der GBU12-Reihe Montage freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS (Ausn. 7a), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 1000 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 3.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A HS Code 85411000 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBV15B 70 100 GBV15D 140 200 GBV15G 280 400 GBV15J 420 600 GBV15K 560 800 GBV15M 700 1000 Max. rectified output current free standing Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend R-load C-load TA = 40°C IFAV 10.5 A 5) 7.4 A 5) Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 R-load C-load TC = 80°C IFAV 15.0 A 12.0 A f > 15 Hz IFRM 42 A 5) IFSM 210 A 240 A i2t 220 A2s Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave 50 Hz (10 ms) Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) Rating for fusing – Grenzlastintegral 1 t < 10 ms 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at TA at 5 mm distance from case – Gilt, wenn Anschlüsse in 5 mm vom Gehäuse auf TA gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG GBV15B ... GBV15M Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 7.5 A VF < 1.1 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) trr typ. 1500 ns 1) Cj 80 pF 1) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Typical thermal resistance junction to ambient (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA 18 K/W 2) Typical thermal resistance junction to case (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC 2.9 K/W Type Typ Dimensions – Maße [mm] Recommended protective resistance Empfohlener Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) GBV15B 0.5 GBV15D 1.0 GBV15G 2.0 GBV15J 3.0 GBV15K 4.0 GBV15M 5.0 Admissable load capacitor at Rt Zulässiger Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) Rt 3) 10000 ~ _ 5000 2500 + 1666 ~ CL 4) 1250 1000 103 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 10-1 0.4 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 270a-(12a-1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 4 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged mostly in a single mains period. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL nahezu in einer einzigen Netzperiode geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
GBV15K 价格&库存

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    • 146+1.89133
    • 600+1.81946

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