KBPC2500F ... KBPC2516F, KBPC2500W ... KBPC2516W
KBPC2500F ... KBPC2516F, KBPC2500W ... KBPC2516W
Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2006-12-09
Type “FP“
6.7 16.6
±0.5
7.3 + 14.3 ±0.5 0.8
Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen Weight approx. Gewicht ca.
25 A 35...1000 V Index “P“ 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] 17 g
+
16.6 ±0.5
Type
Ø 5.2
7.9
=
18.1±0.5 28.6±0.2
=
21.6±1
Type “WP“
11.6
±0.5
7.3 1.2 = +
6.3
+
Ø 5.2 18±0.5
Type
Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton
=
18±0.5 28.6±0.2
=
=
min. 30
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings Type Typ KBPC2500F/W KBPC2501F/W KBPC2502F/W KBPC2504F/W KBPC2506F/W KBPC2508F/W KBPC2510F/W KBPC2512F/W KBPC2514F/W KBPC2516F/W Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 800 900 1000
Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
1
Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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KBPC2500F ... KBPC2516F, KBPC2500W ... KBPC2516W Maximum ratings Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS Grenzwerte 60 A 1) 270/300 A 375 A2s -50...+150°C -50...+150°C
Characteristics Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load IF = 12.5 A VR = VRRM IFAV IFAV VF IR VISO RthC 10-32 UNF M5
Kennwerte 25 A 20 A < 1.2 V 2) < 25 µA > 2500 V < 2.0 K/W 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm
120 [%] 100
102 [A] 10
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
60
1
40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C]
1
IF 10-2
270a-(12a-1.2v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
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Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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