KBPC3506FP

KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2007-11-05 Type “FP“ 6.7 16.6±0.5 7.3 + 1 4 . 3 ± 0 .5 0 .8 Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen Weight approx. Gewicht ca. 35 A 35...900 V + 1 6 . 6 ± 0 .5 Ty p e Ø 5.2 7.9 = 18.1±0.5 28.6±0.2 = 21.6±1 6 .3 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] 17 g Type “WP“ 11.6±0.5 = 7.3 1.2 + + Ø 5.2 18±0.5 Type Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton = 18±0.5 28.6±0.2 = = min. 30 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ KBPC3500FP/WP KBPC3501FP/WP KBPC3502FP/WP KBPC3504FP/WP KBPC3506FP/WP KBPC3508FP/WP KBPC3510FP/WP KBPC3512FP/WP KBPC3514FP/WP Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 800 900 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 1200 1400 1 Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP Maximum ratings Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS Grenzwerte 80 A 1) 375/400 A 660 A2s -50...+150°C -50...+150°C Characteristics Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load IF = 17.5 A VR = VRRM IFAV IFAV VF IR VISO RthC 10-32 UNF M5 Kennwerte 35 A 28 A < 1.1 V 2) < 25 µA > 2500 V < 1.5 K/W 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 120 [%] 100 103 [A] 102 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10-1 375a-(17.5a -1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2