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创作活动
KBPC3508I

KBPC3508I

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    SIP4

  • 描述:

    1PH BRIDGE KBPC 800V 35A

  • 数据手册
  • 价格&库存
KBPC3508I 数据手册
KBPC3500I ... KBPC3510I KBPC3500I ... KBPC3510I Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2006-08-11 28.6 ±0.2 7.3 Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastik case – Plastikgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 35 A 35...700 V 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] 17 g + ~ ~ Type Ø 5.2 = 5 5 5 = 17 2.0 ±0.5 Ø 1.2 Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ KBPC3500I KBPC3501I KBPC3502I KBPC3504I KBPC3506I KBPC3508I KBPC3510I Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM IFSM i2t Tj TS 80 A 2) 375 A 400 A 660 A2s -50...+150°C -50...+150°C 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 KBPC3500I ... KBPC3510I Characteristics Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 1 Kennwerte TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load IF = 17.5 A VR = VRRM IFAV IFAV VF IR VISO RthC 10-32 UNF M5 35 A 28 A < 1.1 V 2) < 25 µA > 2500 V < 1.5 K/W 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 120 [%] 100 10 3 [A] 10 2 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10-1 375a-(17.5a-1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
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