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KBPC5001FP ... KBPC5012FP KBPC5001FP ... KBPC5012FP Single Phase Diode Bridge Rectifier Einphasen-Dioden-Brückengleichrichter IFAV = 50 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C VRRM = 100...1200 V IFSM = 400/450 A trr ~ 1500 ns Version 2021-03-08 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) FP + _ ~ SPICE Model & STEP File 1) RoHS Pb EE WE Features Four diodes in bridge configuration UL recognized, File E175067 VRRM up to 1200 V FP = Fast-on terminals 2,3) Plastic case with isolated aluminium baseplate Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) EL V KBPC ~ Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) Besonderheit Vier Dioden in Brückenschaltung UL-anerkannt, Liste E175067 VRRM bis zu 1200 V FP = Fast-on Anschlüsse 2,3) Plastikgehäuse mit isoliertem Alu-Boden Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Marking Type / Typ HS Code 85411000 Further available: Ebenso erhältlich: Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 240 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 17 g Gewicht ca. Casting compound UL 94V-0 Vergussmasse Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A KBPC25 00...10 I, KBPC35 00...10 I (Single Inline) KBPC10/15/25 00...16 FP|WP, KBPC35 00...16 FP|WP Maximum ratings 4) Type Typ Grenzwerte 4) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 5) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 6) KBPC5001FP 70 100 KBPC5002FP 140 200 KBPC5004FP 280 400 KBPC5006FP 420 600 KBPC5008FP 560 800 KBPC5010FP 700 1000 KBPC5012FP 800 1200 1 4 5 6 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches For 6.3mm (1/4“) Fast-on connectors; alternatively, solder assembly possible Für 6.3mm Fast-on Steckverbinder; alternativ Lötmontage möglich Solderable per JESD22-B102E and JESD22-B106C (260°C/10s) Lötbar gemäß JESD22-B102E und JESD22-B106C (260°C/10s) TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode 1 http://www.diotec.com/ 2 3 © Diotec Semiconductor AG KBPC5001FP ... KBPC5012FP Maximum ratings 1) Grenzwerte 1) Max. rectified output current at forced cooling Dauergrenzstrom am Brückenausgang bei forcierter Kühlung R-load C-load TC = 50°C 2) IFAV 50 A 46 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 50°C 2) IFRM 90 A Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 400 A 450 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 800 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 25 A VF < 1.1 V 3) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA 3) Isolation voltage terminals to case – Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Typical thermal resistance junction to case (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) VISO > 2500 VRMS 2) trr typ. 1500 ns 3) Cj 185 pF 3) RthC 1.2 K/W 2) Dimensions Maße [mm] 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 50 100 150 [°C] 400a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben “Case” designates metal baseplate – „Gehäuse“ bezeichnet die metallische Bodenplatte Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG