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KBPC5008F

KBPC5008F

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    KBPC5008F - Silicon-Bridge-Rectifiers - Diotec Semiconductor

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KBPC5008F 数据手册
KBPC5000F ... KBPC5012F KBPC5000F ... KBPC5012F Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2006-12-09 Type "FP“ 6.7 16.6 ±0.5 Nominal current Nennstrom 0.8 50 A 35...800 V Index “P“ 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] 17 g 7.3 + 14.3 ±0.5 Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden Weight approx. Gewicht ca. Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton + 16.6 ±0.5 Type Ø 5.2 7.9 = 18.1±0.5 28.6±0.2 = 21.6±1 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ KBPC5000F KBPC5001F KBPC5002F KBPC5004F KBPC5006F KBPC5008F KBPC5010F KBPC5012F Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V]KBPC5000F 35 70 140 280 420 560 700 800 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C 6.3 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 1200 IFRM IFSM i2t Tj TS 90 A 2) 400/450 A 800 A2s -50...+150°C -50...+150°C 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 KBPC5000F ... KBPC5012F Characteristics Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load IF = 25 A VR = VRRM IFAV IFAV VF IR VISO RthC Kennwerte 50 A 46 A < 1.1 V 2) < 25 µA > 2500 V < 1.2 K/W 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 120 [%] 100 103 [A] 10 2 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10-1 400a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
KBPC5008F 价格&库存

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