KBPC5010WP

KBPC5006WP ... KBPC5010WP KBPC5006WP ... KBPC5010WP Single Phase Bridge Rectifier Einphasen-Brückengleichrichter IFAV = 50 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C VRRM = 600...1000 V IFSM = 400/450 A trr ~ 1500 ns Version 2018-05-28 7.3+0.7 - 0.1 11.6±0.5 ~ 18 ~ 5.3±0.9 ~ ±0.5 5.3±0.9 Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) Features WP = Wire terminals 2) Plastic case 3) with isolated Isolated aluminium baseplate Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit WP = Drahtanschlüsse 2) Plastikgehäuse 3) mit Isolierter Alu-Boden Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE Ø 5.2 ±0.2 Type + 18±0.5 + Ø 1.2 28.6±0.5 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) EL V KBPCxxxxWP (28.6 x 28.6 x 7.3) Mechanical Data 1) min. 30 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 240 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 17 g Gewicht ca. Casting compound UL 94V-0 Vergussmasse Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Further available: Ebenso erhältlich: KBPC25 00...10 I, KBPC35 00...10 I (Single Inline) KBPC10/15/25 00...16 FP|WP, KBPC35 00...16 FP|WP Maximum ratings 4) Type Typ Grenzwerte 4) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 5) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 6) KBPC5006WP 420 600 KBPC5008WP 560 800 KBPC5010WP 700 1000 1 3 4 5 6 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Solderable per JESD22-B102E and JESD22-B106C (260°C/10s) Lötbar gemäß JESD22-B102E und JESD22-B106C (260°C/10s) Edge close to + terminal not present necessarily – Abschrägung nahe + Anschluss nicht zwingend vorhanden TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode 1 http://www.diotec.com/ 2 © Diotec Semiconductor AG KBPC5006WP ... KBPC5010WP Maximum ratings 1) Grenzwerte 1) Max. rectified output current at forced cooling Dauergrenzstrom am Brückenausgang bei forcierter Kühlung R-load C-load TC = 50°C 2) IFAV 50 A 46 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 50°C 2) IFRM 90 A Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 400 A 450 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 800 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 25 A VF < 1.1 V 3) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA 3) Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Reverse recovery time Sperrverzug VISO > 2500 VRMS 2) trr typ. 1500 ns 3) Cj 185 pF 3) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Thermal resistance junction to case (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) 120 RthC < 1.2 K/W 2) 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 50 100 150 [°C] 400a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben “Case” designates metal baseplate – „Gehäuse“ bezeichnet die metallische Bodenplatte Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG