KBU12G

KBU12A ... KBU12M KBU12A ... KBU12M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2010-04-29 5.7 5.8 23.5 3.8±0.3 Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton 12 A 35...700 V 23.5 x 5.7 x 19.3 [mm] 7g KBU ... 1 1.2 5.08 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ KBU12A KBU12B KBU12D KBU12G KBU12J KBU12K KBU12M Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS M3.5 25 min. 3.3 19.3 6 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 60 A 2) 270/300 A 375 A2s -50...+150°C -50...+150°C 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 KBU12A ... KBU12M Characteristics Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech Max. rectified current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse TA = 50°C TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load R-load C-load IF = 12 A VR = VRRM IFAV IFAV IFAV IFAV VF IR RthC Kennwerte 8.4 A 1) 7.4 A 1) 12.0 A 9.6 A < 1.0 V 2) < 10 µA < 2.7 K/W Type Typ KBU12A KBU12B KBU12D KBU12G KBU12J KBU12K KBU12M 120 [%] 100 Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] 20000 10000 5000 2500 1500 1000 800 Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand Rt [Ω] 0.2 0.4 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0 103 [A] 10 2 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-1 0.4 270a-(12a-1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2