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KBU8D

KBU8D

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    KBU8D - Silicon-Bridge-Rectifiers - Diotec Semiconductor

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  • 价格&库存
KBU8D 数据手册
KBU8A ... KBU8M KBU8A ... KBU8M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2005-10-21 5.7 5.8 23.5 4 Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton 8A 35...700 V 23.5 x 5.7 x 19.3 [mm] 7g KBU ... 3.3 1 1.2 5.08 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ KBU8A KBU8B KBU8D KBU8G KBU8J KBU8K KBU8M Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS M4 25 min. 19.3 6 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 50 A 2) 270/300 A 375 A2s -50...+150°C -50...+150°C 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm 1 2 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 KBU8A ... KBU8M Characteristics Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech Max. rectified current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse TA = 50°C TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load R-load C-load IF = 8 A VR = VRRM IFAV IFAV IFAV IFAV VF IR RthC Kennwerte 5.6 A 1) 4.5 A 1) 8.0 A 6.4 A < 1.0 V 2) < 10 µA < 3.0 K/W Type Typ KBU8A KBU8B KBU8D KBU8G KBU8J KBU8K KBU8M Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] 20000 10000 5000 2500 1500 1000 800 Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand Rt [Ω] 0.2 0.4 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0 120 [%] 100 103 [A] 102 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10 -1 270a-(12a-1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
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