KT20A120

KT20A120 ... KT20K150 KT20A120 ... KT20K150 Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2010-06-02 Nominal current Nennstrom 4 20 A 120...150 V TO-220AC 1.8 g 14.9±0.4 Ø 3.8±0.2 4 8.7 Type Typ ±0.3 2.8±0.3 1.2±0.2 10.1±0.3 A 3 Stand off voltage Sperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 4.5 ±0.2 ±0.3 1 ±0.3 3 1 3 .9 4 2.67 0.42 ±0.2 ±0.4 1 3 .9 1.3±0.1 0.8±0.2 5.08 ±0.1 K 3 1 Dimensions - Maße [mm] Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type / Typ Polarity / Polarität K A (Standard) (Reverse) KT20K120 KT20A120 KT20K150 KT20A150 Stand-off voltage Sperrspannung VWM [V] 120 150 Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM ID [µA] 5 5 Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Breakdown voltage Abbruch-Spannung VBR min [V] @ IT [mA] 150 180 5 5 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5A < 0.85 < 0.85 IF = 20A < 0.98 < 0.98 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur TC = 100°C TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV Ptot IFRM IFSM i2t Tj Tj TS RthC 20 A 25 W 80 A 2) 375/390 A 680 A2s -50...+175°C +200°C -50...+175°C < 1.5 K/W Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 KT20A120 ... KT20K150 Characteristics Leakage current – Sperrstrom ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung Reverse recovery time Sperrverzug 120 [%] 100 [A] 10 80 10 Tj = 25°C 2 Kennwerte Tj = 25°C C = 100pF VR = VWM R = 1.5kΩ PPPM IPPM trr IR < 5 µA 20 kV 1500 W 200 A < 300 ns 10/1000µs pulse 1) TA = 25°C 8/20µs pulse 2) TA = 25°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 103 Tj = 125°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses -1 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) tr = 10 µs 100 [%] 80 100 [%] 80 tr = 8 µs 60 PPPM/2 IPPM/2 60 PPPM/2 IPPM/2 40 IPP 20 PPP 0 0 40 IPP 20 PPP 1 2 3 [ms] 4 0 0 tP t 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform tP t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform 1 2 See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2