KYW25A05 ... KYW25A6, KYW25K05 ... KYW25K6
KYW25A05 ... KYW25A6, KYW25K05 ... KYW25K6
Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes Silizium-Einpress-Dioden – Hochtemperatur-Dioden Version 2006-04-20
Ø 16
±0.5
Nominal Current Nennstrom
25 max.
25 A 50 ... 600 V
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Metal press-fit case with glass seal Metall-Einpressgehäuse mit Glas-Durchführung Weight approx. Gewicht ca. Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton
1.3
10 g
6.6
±0.5
±0.5
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Type / Typ Wire to / Draht an Anode KYW25A05 KYW25A1 KYW25A2 KYW25A3 KYW25A4 KYW25A6 Cathode KYW25K05 KYW25K1 KYW25K2 KYW25K3 KYW25K4 KYW25K6 Repetive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 300 400 600 TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS
1.5
Ø 12.77±0.04
4
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 60 120 240 360 480 700 25 A 90 A 1) 270/300 A 375 A2s -50...+175°C -50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
KYW25A05 ... KYW25A6, KYW25K05 ... KYW25K6 Characteristics Forward Voltage Durchlass-Spannung Leakage Current Sperrstrom Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C IF = 25 A VF Kennwerte < 1.1 V
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR RthC
< 100 µA < 1 K/W
120 [%] 100
103 [A] 102
Tj = 125°C
80 10
Tj = 25°C
60
40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C]
Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
IF 10-1
270a-(25a-1,1v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[A]
10
2
îF
10 1
10 10 [n] 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
2
3
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