KYZ35A3

KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6 KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6 Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes Silizium-Einpress-Dioden – Hochtemperatur-Dioden Version 2006-04-22 Nominal Current Nennstrom Ø 16 ±0.5 35 A 50 ... 600 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Metal press-fit case with glass seal Metall-Einpressgehäuse mit Glas-Durchführung Weight approx. – Gewicht ca. 16 6.6±0.5 4 10 g 1.5±0.5 Ø 12.77±0.04 Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type / Typ Wire to / Draht an Anode KYZ35A05 KYZ35A1 KYZ35A2 KYZ35A3 KYZ35A4 KYZ35A6 Cathode KYZ35K05 KYZ35K1 KYZ35K2 KYZ35K3 KYZ35K4 KYZ35K6 Repetive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 300 400 600 TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 60 120 240 360 480 700 35 A 130 A 1) 360/400 A 660 A2s -50...+175°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6 Characteristics Forward Voltage Durchlass-Spannung Leakage Current Sperrstrom Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 35 A VR = VRRM VF IR RthC Kennwerte < 1.1 V < 100 µA < 0.8 K/W 120 [%] 100 10 3 [A] 10 2 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. IF 10 -1 360a-(35a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 3 [A] 102 îF 10 1 10 10 [n] 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 2 3 © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 2