MM3Z16B-AQ

MM3Z2B4 ... MM3Z39B MM3Z2B4 ... MM3Z39B Ptot = 300 mW VZ = 2.4 V ... 47 V Tjmax = 150°C SMD Planar Zener Diodes SMD Planar Zener-Dioden Version 2019-10-09 Typical Applications Voltage stabilization and regulators (For ESD protection see ESD3Z series) Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) ±0.1 1.25 Type Code 2.5 Features ~ ±2% tolerance of Zener voltage Sharp Zener voltage breakdown Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE 0.3 ±0.1 1 ±0.1 1.7±0.1 EL V SOD-323F Typische Anwendungen Spannungsstabilisierung und -regler (Für ESD-Schutz siehe ESD3Z-Reihe) Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Besonderheiten ~ ±2% Toleranz der Zener-Spannung Scharfer Zenerspannungsabbruch Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) ±0.2 Taped and reeled Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Solder & assembly conditions 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle 0.005 g 260°C/10s Gewicht ca. Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Zener voltages and Type Codes see table on next page Zener-Spannungen und Typ-Kodierungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation Verlustleistung TA = 25°C Junction temperature − Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Ptot 300 mW 3) Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Characteristics Kennwerte Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung 1 2 3 RthA 417 K/W 3) Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MM3Z2B4 ... MM3Z39B Characteristics Kennwerte (Tj = 25°C unless otherwise specified) Type Typ Code MM3Z... 1 2 2 (Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert) Zener voltage 1) Zener-Spanng. 1) IZ = 5 mA Dynamic resistance Inhär. diff. Widerstand rzj [Ω] at f = 1 kHz Temp. Coeffiz. of Z-voltage …der Z-spanng. Reverse voltage Sperrspannung VR at/bei IR Z-current 2) Z-Strom 2) TA = 25°C Vzmin [V] Vzmax [V] IZ = 5 mA αVZ [10-4/°C] VR [V] IR [µA] IZmax [mA] 2B4 DN 2.35 2.45 100 -8...-5 1 120 122 2B7/-Q DP 2.64 2.75 110 -8...-5 1 120 109 3B0 DR 2.94 3.06 120 -8...-5 1 50 98 3B3 DX 3.23 3.37 130 -8...-5 1 20 89 3B6/-Q DY 3.52 3.67 130 -8...-5 1 10 82 3B9/-Q/-AQ DZ 3.82 3.98 130 -8...-5 1 5 75 4B3 Z0 4.21 4.39 130 -7...-4 1 5 68 4B7/-AQ EB 4.60 4.80 130 -5...-2 1 2 63 5B1/-Q/-AQ EC 5.40 130 -2...+2 1.5 2 56 5B6/-AQ ED 5.71 80 -1...+4 2.5 1 53 6B2/-Q/-AQ EE 6.32 50 +2...+5 3 1 47 6B8/-Q/-AQ EF 6.94 30 +3...+6 3.5 0.5 43 7B5/-Q/-AQ EH 7.35 7.65 30 +3...+6 4 0.5 39 8B2/-Q EJ 8.03 8.37 30 +4...+7 5 0.5 36 9B1/-AQ EK 8.92 9.29 30 +4...+7 6 0.5 32 4.99 5.48 6.07 6.66 10B 8B 9.77 10.21 30 +5...+8 7 0.1 29 11B/-AQ 8C 10.76 11.22 30 +5...+8 8 0.1 27 12B 8D 11.74 12.24 35 +5...+8 9 0.1 25 13B/-AQ 8E 12.91 13.49 35 +6...+9 10 0.1 22 15B/-Q/-AQ 8F 14.70 15.30 40 +6...+9 11 0.1 20 16B/-Q/-AQ 8H 15.85 16.51 40 +6...+9 12 0.1 18 18B/-AQ 8J 17.56 18.35 45 +6...+9 13 0.1 16 20B 8K 19.52 20.39 50 +6...+9 15 0.1 15 22B 8M 21.54 22.47 55 +7...+10 17 0.1 13 24B/-AQ 8N 23.72 24.78 60 +7...+10 19 0.1 12 27B/-Q/-AQ 8P 26.19 27.53 70 +7...+10 21 0.1 11 30B/-AQ 8R 29.19 30.69 80 +7...+10 23 0.1 10 33B/-AQ 8X 32.15 33.79 80 +7...+10 25 0.1 9 36B 8Y 35.07 36.87 90 +7...+10 27 0.1 8 39B/-Q/-AQ 8Z 41.00 100 +7...+10 30 2 7 37.00 Tested with pulses tp = 5 ms – Gemessen mit Impulsen tp = 5 ms Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG MM3Z2B4 ... MM3Z39B 120 [-10 /°C] 8 -4 100 50 [mV/°C] 12 [%] 40 80 4 30 60 0 20 40 -4 10 20 -8 0 Ptot a Vz 0 0 TA 100 50 aVzxVz -12 150 VZ [°C] Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1 ) 1 30 15 45 -10 [V] Typ. temperature coefficient vs Zener voltage Typ. Temperaturkoeffizient in Abh. der Zener-Spg. VZ 15 30 45 [V] Typ. temperature drift vs Zener voltage Typ. Temperaturdrift in Abh. der Zener-Spannung 15 5,1 [mA] 5,6 10 8,2 6,8 6,2 4,7 10 10 9,1 7,5 18 24 30 36 43 47 4,3 3,9 5 IZ = 5 mA 3,6 IZmax 3,3 Tj = 25°C 3,0 2,7 IZ 2,4 0 Zener voltage vs Zener current – Abbruchspannung über Zenerstrom 4 5 7 0 VZ 2 3 6 8 10 [V] Zener Voltage vs. Zener current – Abbruchspannung über Zenerstrom 10 3 10 T j = -2 5 °C T j = 1 0 0 °C T j = 2 5 °C T j = 7 5 °C V Z = 10 V [Ohm] [mA] 10 2 [mA] 1 10 102 T j = 1 2 5 °C -1 10 T j = -2 5 °C 1 T j = 7 5 °C T j = 2 5 °C 10 -1 10 10-2 rzj IO tp = 40m s VZ = 1 0 V -3 10 9 VO 10 11 [V] 12 Typical Zener current vs Zener voltage Typischer Zenerstrom über Zenerspannung IF 1 10-2 IZ 10-1 1 [mA] 10 Typ. dynamic resistance vs Zener current Typ. inh. diff. Widerstand in Abh. vom Zenerstrom 10-2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3