MMBT3904-AQ

MMBT3904 MMBT3904 IC = 200 mA hFE = 100 ... 300 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 40 V Ptot = 350 mW Version 2019-08-05 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 3 1 1.3±0.1 Type Code Features General purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Pb Mechanical Data 1) 2 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 1.9±0.1 3000 / 7“ Weight approx. 1=B Besonderheiten Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE 2.4 ±0.2 0.4 +0.1 -0.05 EL V SOT-23 (TO-236) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) 2=E 3=C Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MMBT3904/-AQ = 1AM or 1E MMBT3906/-AQ Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMBT3904/-AQ Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 40 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 60 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Ptot 350 mW 3) IC 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. – – – 300 – – 4 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) VCE = 1 V 1 2 3 4 IC = IC = IC = IC = IC = 0.1 mA 1 mA 10 mA 50 mA 100 mA hFE 40 80 100 60 30 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBT3904 Characteristics Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. VCEsat – – – – 0.2 V 0.3 V VBEsat 0.65 V – – – 0.85 V 0.95 V ICBX – – 50 nA IEBV – –- 50 nA fT 300 MHz – – CCBO – – 4 pF CEBO – – 8 pf VCC = 3 V, VBE = 0.5 V IC = 10 mA, IB1 = 1mA td – – 35 ns tr – – 35 ns VCC = 3 V, IC = 10 mA, IB1 = IB2 = 1 mA ts – – 200 ns tf – – 50 ns 1 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) IC = 10 mA, IB = 1 mA IC = 50 mA, IB = 5 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) IC = 10 mA, IB = 1 mA IC = 50 mA, IB = 5 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCE = 30 V, VEB = 3 V Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VCE = 30 V, - VEB = 3 V Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 5 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz Switching times – Schaltzeiten (between 10% and 90% levels) delay time rise time storage time fall time Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 357 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature Gültig, wenn die Anschlüsse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG