MMBT3906-AQ

MMBT3906 MMBT3906 IC = -200 mA hFE = 100 ... 300 Tjmax = 150°C SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren VCES = -40 V Ptot = 250 mW Version 2021-05-12 3 1 2 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) RoHS Pb EE WE Features General Purpose Compliant to RoHS (w/o exemp.) REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V SOT-23 TO-236 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) SPICE Model & STEP File 1) Besonderheiten Universell anwendbar Konform zu RoHS (ohne Ausn.) REACH, Konfliktmineralien 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking Code See below / Siehe unten HS Code 85412100 Type Code Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren MMBT3906 = 2A or 3E MMBT3906-AQ = 3E MMBT3904 MMBT3904-AQ Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMBT3906/-AQ Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 40 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 40 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Ptot 250 mW 3) - IC 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBT3906 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 40 80 100 60 30 – – – 300 – – - VCEsat – – – – 0.25 V 0.4 V - VBEsat 0.65 V – – – 0.85 V 0.95 V - ICEX – – 50 nA IEBV – –- 50 nA fT 250 MHz – – CCBO – – 4.5 pF CEBO – – 10 pf - VCC = 3 V, - VBE = 0.5 V - IC = 10 mA, - IB1 = 1mA td – – 35 ns tr – – 35 ns - VCC = 3 V, - IC = 10 mA - IB1 = IB2 = 1 mA ts – – 225 ns tf – – 75 ns 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - VCE = 1 V - IC = IC = IC = IC = IC = 0.1 mA 1 mA 10 mA 50 mA 100 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1) - IC = 10 mA, - IB = 1 mA - IC = 50 mA, - IB = 5 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) - IC = 10 mA, - IB = 1 mA - IC = 50 mA, - IB = 5 mA Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom - VCE = 30 V, - VEB = 3 V Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VCE = 30 V, - VEB = 3 V Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - IC = 10 mA, - VCE = 20 V, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 5 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität - VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz Switching times – Schaltzeiten (between 10% and 90% levels) delay time rise time storage time fall time Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 200 K/W 2) Dimensions – Maße [mm] 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG MMBT3906 120 1.0 [%] T j=25°C [V] 100 0.8 80 0.6 VBE(sat) @ IC /IB =10 VBE @ VCE =1V VCE(sat) @ IC /IB =10 60 0.4 40 0.2 20 Ptot 0 0 0 TA 100 50 150 [°C] 1 IC 10 10 2 [mA] 10 3 On-state voltages versus collector current Spannungen im Ein-Zustand über Kollektorstrom 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 10 3 10 tr tf td [ns] C E BO C CBO [pF] 10 2 5 10 -V CC=3V 1 1 IC 10 10 2 [mA] 1 103 10-1 Switching times versus collector current Schaltzeiten über Kollektorstrom V XB 1 10 [V] Capacitance versus reverse bias voltage Kapazität über Sperrspannung 10 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3