MMBT7002DW

MMBT7002DW MMBT7002DW ID RDS(on) Tjmax N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET – Anreicherungstyp = 115 mA < 7.5 Ω = 150°C VDSS Ptot = 60 V = 200 mW Version 2021-05-27 6 1 2 5 4 3 SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications Signal processing Logic level converter Drivers Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Halogen FREE R oH S WE Pb EE Features Dual FET Two transistors in one package Fast switching times Compliant to RoHS (w/o exemp.) REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Pegel-wandler Treiberstufen Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V SOT-363 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code K72 Besonderheiten Doppel-MOSFET Zwei Transistoren in einem Gehäuse Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS (ohne Ausn.) REACH, Konfliktmineralien 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS Code 85412100 Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) MMBT7002DW Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDSS 60 V VGSS ± 20 V Ptot 200 mW 2) ID 115 mA Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom IDM 800 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung DC Power dissipation – Verlustleistung Drain current – Drainstrom DC Dimensions – Maße [mm] 1 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBT7002DW Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. BVDSS 60 V – – IDSS – – 100 nA ±IGSS – – 100 nA VGS(th) 1V – 2.5 V RDS(on) – – 7.5 Ω 7.5 Ω gFS 80 mS – – Ciss – 50 pF – Coss – 25 pF – Crss – 5 pF – ton – 20 ns – toff – 20 ns – Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 60 V VGS = 0 V Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS = 10 V ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 5 V VGS = 10 V ID = 50 mA ID = 500 mA Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS ≥ 10 VDS(on), ID = 200 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Einschaltzeit VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG