MMBTA06

MMBTA05 / MMBTA06 MMBTA05 / MMBTA06 NPN Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage Power dissipation Verlustleistung 1.3 ±0.1 NPN 250 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g Version 2007-06-25 1.1 2.9 ±0.1 0.4 3 Type Code 1 2 2.5 max Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.9 Dimensions / Maße [mm] 1=B 2=E 3=C Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Base current – Basisstrom Peak Base current – Basis-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open VCEO VCBO VEBO Ptot IC IB IBM Grenzwerte (TA = 25°C) MMBTA05 60 V 60 V 4V 250 mW 1) 500 mA 100 mA 200 mA -55...+150°C -55…+150°C MMBTA06 80 V 80 V Tj TS Characteristics (Tj = 25°C) Min. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 60 V IE = 0, VCB = 80 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IC = 0, VEB = 4 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) 2 Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. – – – – – Max. 100 nA 100 nA 100 nA 250 mV 1.2 V MMBTA05 MMBTA06 ICB0 ICB0 IEB0 VCEsat – – – – – IC = 100 mA, IB = 10 mA Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ) 2 IC = 100 mA, IB = 10 mA 1 2 VBEsat Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MMBTA05 / MMBTA06 Characteristics (Tj = 25°C) Min. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 1 V, IC = 10 mA VCE = 1 V, IC = 100 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren Marking - Stempelung fT RthA 100 MHz – < 420 K/W 1) MMBTA55, MMBTA56 MMBTA05 = 1H MMBTA06 = 1GM – hFE hFE 100 100 – – – – Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. Max. 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2