MMBTA94

MMBTA94 MMBTA94 PNP Version 2011-09-01 1.1 Surface mount High Voltage Transistors Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage Power dissipation Verlustleistung ±0.1 PNP 200 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g 2.9 ±0.1 0.4 3 1.3 Type Code 1 2 2.5 max Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.9 Dimensions / Maße [mm] 1=B 2=E 3=C Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open - VCEO - VCBO - VEBO Ptot - IC Grenzwerte (TA = 25°C) MMBTA94 400 V 400 V 6V 200 mW 1) 300 mA -55...+150°C -55…+150°C Tj TS Characteristics (Tj = 25°C) Min. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, - VCB = 300 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IC = 0, - VEB = 4 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2) - IC = 10 mA, - IB = 1 mA - IC = 50 mA, - IB = 5 mA Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2) - IC = 10 mA, - IB = 1 mA - VBEsat – - VCEsat - VCEsat – – - IEB0 – - ICB0 – Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. – – – – – Max. 100 nA 100 nA 500 mV 750 mV 750 mV 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MMBTA94 Characteristics (Tj = 25°C) Min. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis - VCE = 10 V, - IC = 1 mA - VCE = 10 V, - IC = 10 mA - VCE = 10 V, - IC = 30 mA Collector-Base capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 20 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren Marking - Stempelung MMBTA92 CCBO RthA – – < 500 K/W 1) MMBTA44 MMBTA94 = 7 pF hFE hFE hFE 100 40 25 – – – – – – Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. Max. 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2