MMFTN123

MMFTN123 MMFTN123 N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor – Anreicherungstyp Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 1.3±0.1 1.1 N 360 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g Version 2011-01-24 Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Type Code 1 1.9 2 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Maximum ratings (TA = 25°C) Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Drain current – Drainstrom (dc) Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur VDS VGSS Ptot ID IDM Tj TS 2.5 max Grenzwerte (TA = 25°C) MMFTN123 100 V ± 20 V 360 mW 1) 170 mA 680 mA 150°C -55…+150°C 1 Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MMFTN123 Characteristics (Tj = 25°C) Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom VDS = 100 V VDS = 20 V Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 20 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS, ID = 1 mA VGS = 10 V, ID = 170 mA VGS = 4.5 V, ID = 170 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω Turn-On Rise Time – Anstiegszeit VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω Turn-Off Fall Time – Abfallzeit VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft tf RthA < 500 K/W 1) 5 ns td(off) 31 ns tr 18 ns td(on) 3.4 ns Crss 3.4 pF Coss 7 pF Ciss 73 pF VGS(th) RDS(on) RDS(on) 0.8 V 2V 6Ω 10 Ω Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand IGSS ± 50 nA IDSS 1 µA 10 nA V(BR)DSS 100 V Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. 1 Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2