MMFTN3018W

MMFTN3018W MMFTN3018W N Version 2011-01-28 Power dissipation – Verlustleistung 2 0.3 ±0.1 Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor Silizium N-Kanal MOS Feldeffekt-Transistor N 200 mW SOT-323 0.01 g 1 ±0.1 3 Plastic case Kunststoffgehäuse 1.25±0.1 Type Code 1 2 2.1±0.1 Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Maximum ratings (TA = 25°C) Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Drain current continuos – Drainstrom (dc) Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur G short VDSS VGSS Ptot ID IDM Tj TS Grenzwerte (TA = 25°C) MMFTN3018W 60 V ± 20 V 200 mW 1) 100 mA 400 mA 150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage Continuos – Gate-Source-Spannung 1 Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MMFTN3018W Characteristics (Tj = 25°C) Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 30 V Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VDS = 3 V, ID = 100 µA VGS = 4 V, ID = 10 mA VGS = 2.5 V, ID = 1 mA Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit VDS = 3 V, ID = 10 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 5 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 5 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 5 V, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Crss RthA 4 pF < 625 K/W 1) Coss 9 pF Ciss 13 pF VGS(th) RDS(on) RDS(on) gFS 20 mS 0.8 V 1.5 V 8Ω 13 Ω Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand ±IGSS 1 µA V(BR)DSS G short IDSS 1 µA 30 V Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. 1 Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2