MMFTN3402

MMFTN3402 MMFTN3402 ID(25mm²) = 4 A RDS(on) < 55 mΩ Tjmax = 150°C N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET – Anreicherungstyp VDSS Ptot = 30 V = 1000 mW Version 2021-10-04 SPICE Model & STEP File 1) Features High Drain current Low on-state resistance Fast switching times Compliant to RoHS (w/o exemp.) REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Pegelwandler Treiberstufen Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) RoHS Pb EE WE D Typical Applications Signal processing Logic level converter Drivers Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) EL V SOT-23 TO-236 Mechanical Data 1) G S Marking Code WC | A18T HS Code 85411000 Besonderheiten Hoher Drain-Strom Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS (ohne Ausn.) REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMFTN3402 Drain-Source-voltage Drain-Source-Spannung VDSS 30 V VGSS ± 12 V Ptot 350 mW 3) 1000 mW 4) ID 1.9 A 3) 4 A 4) Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom IDM 15 A 5) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage Gate-Source-Spannung DC Power dissipation Verlustleistung Drain current Drainstrom 1 2 3 4 5 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pad or on ceramic substrate with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag oder auf Keramiksubstrat mit 3 mm2 Kupferbelag an jedem Anschluss Pulse width limited by Tjmax – Pulsbreite begrenzt durch Tjmax © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTN3402 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. BVDSS 30 V – – IDSS – – 1 µA ±IGSS – – 100 nA VGS(th) 0.6 V – 1.4 V RDS(on) – – 55 mΩ 70 mΩ gFS – 8S – Ciss – 390 pF – Coss – 54.5 pF – Crss – 41 pF – td(on) tr – 3.3 ns 1 ns – td(off) tf – 21.7 ns 2.1 ns – Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 24 V VGS = 0 V Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V VGS = 4.5 V ID = 4 A ID = 3 A Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS ≥ 15 V ID = 4 A Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit VDS= 15 V RL= 3.75 Ω VGS= 10 V RG = 6 Ω Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit VDS= 15 V RL= 3.75 Ω VGS= 10 V RG = 6 Ω Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 357 K/W 1) 125 K/W 2) Dimensions - Maße [mm] Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pad or on ceramic substrate with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag oder auf Keramiksubstrat mit 3 mm2 Kupferbelag an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG