MMFTN6001

MMFTN6001 MMFTN6001 ID25°C = 440 mA RDS(on)10V < 2 Ω Tjmax = 150°C N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET – Anreicherungstyp VDSS = 60 V Ptot = 530 mW VGSS-ESD = ± 2 kV Version 2021-07-14 3 1 2 Features ESD protected Gate Fast switching times Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Pegelwandler Treiberstufen Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications Signal processing Logic level converter Drivers Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) EL V SOT-23 TO-236 Mechanical Data 1) Besonderheiten ESD geschütztes Gate Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking Code WN HS Code 85411000 Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) MMFTN6001 Drain-Source-voltage Drain-Source-Spannung Gate-Source-voltage Gate-Source-Spannung VDSS 60 V VGSS ± 20 V ± 2 kV Ptot 530 mW 2) DC ID 440 mA 3) tp = 100µs VDS = 10V IDM 1A Tj TS -55...+150°C -55…+150°C DC ESD Power dissipation Verlustleistung Drain current Drainstrom Peak Drain current Drain-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTN6001 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. BVDSS 60 V – – IDSS – – 1 µA ±IGSS – – 5 µA VGS(th) 0.8 V – 2V RDS(on) – – 2Ω 2.6 Ω gFS – 420 mS – Ciss – 23.3 pF – Coss – 7.3 pF – Crss – 5.2 pF – td(on) tr – 7.6 ns 5.1 ns – td(off) tf – 24.6 ns 10 ns – Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 60 V VGS = 0 V Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V VGS = 4.5 V ID = 500 mA ID = 200 mA Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS ≥ 15 V ID = 250 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit VDD= 30 V ID= 0.2 A VGS= 10 V RG= 10 Ω Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit VDD= 30 V ID= 0.2 A VGS= 10 V RG= 10 Ω Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 232 K/W 1) Dimensions - Maße [mm] 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss Tested with pulses tp = 10 µs, duty cycle ≤ 1% – Gemessen mit Impulsen tp = 10 µs, Schaltverhältnis ≤ 1% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG