MMFTP3401

MMFTP3401 MMFTP3401 ID RDS(on) Tjmax P-Channel Enhancement Mode FET P-Kanal FET – Anreicherungstyp =-4A < 65 mΩ = 150°C VDS = - 30 V Ptot = 1.0 W Version 2021-12-10 3 1 2 Typical Applications Signal processing Drivers Logic level converter Commercial /industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Treiberstufen Logikpegelwandler Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features Fast switching times Compliant to RoHS (w/o exemp.) REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS (ohne Ausn.) REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE Pb EL V SOT-23 TO-236 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) SPICE Model & STEP File 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking Code See below 'XX' | Siehe unten 'XX' HS Code 85412100 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMFTP3401 '3401' Drain-Source-voltage Drain-Source-Spannung Gate-Source-voltage Gate-Source-Spannung D open Power dissipation Verlustleistung Drain current Drainstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 MMFTP3401-AQ 'P4' - VDS 30 V VGSO ± 12 V Ptot 500 mW 3) 1000 mW 4) 1400 mW - ID 3 A 3) 4 A 4) 4A Tj TS -55…+150°C -55…+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on PCB with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad an je Anschluss On ceramic substrate – Auf Keramiksubstrat © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTP3401 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C MMFTP3401 Min. Typ. Max. - V(BR)DSS 30 V – – - IDSS – – 1 µA IGSS – – ± 100 nA - VGS(th) 0.7 V – 1.3 V RDS(on) – – 65 mΩ 75 mΩ 90 mΩ ‫׀‬gfs‫׀‬ 7S – – Ciss – – 954 pF Coss – – 115 pF Crss – – 77 pF td(on) tr – 6.3 ns 3.2 ns – td(off) tf – 38 ns 7 ns – Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung - ID = 250 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom - VDS = 24 V Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 12 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VGS - ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand - VGS = 10 V - ID = 4 A - VGS = 4.5 V - ID = 4 A - VGS = 2.5 V - ID = 1 A Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit - VDS = 5 V - ID = 4 A Input Capacitance – Eingangskapazität - VDS = 0 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität - VDS = 0 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität - VDS = 0 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung & Anstiegszeit VGS = -10 V - VDD = 15 V R = 3.6 Ω RG = 6 Ω Turn-Off Delay & Fall Time – Ausschaltverzögerung & Abfallzeit VGS = 0 V - VDD = 15 V R = 3.6 Ω RG = 6 Ω Typical thermal resistance junction to ambient air Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 RthA 250 K/W 1) Mounted on PCB with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad an je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG MMFTP3401 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C MMFTP3401-AQ Min. Typ. Max. - V(BR)DSS 30 V – – - IDSS – – 1 µA IGSS – – ± 100 nA - VGS(th) 0.7 V – 1.4 V RDS(on) – – 50 mΩ 60 mΩ 85 mΩ ‫׀‬gfs‫׀‬ tbd – – Ciss – 750 pF – Coss – 70 pF – Crss – 60 pF – td(on) tr – 5.8 ns 22 ns – td(off) tf – 178 ns 69 ns – Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung - ID = 250 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom - VDS = 24 V Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 12 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VGS - ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand - VGS = 10 V - ID = 4 A - VGS = 4.5 V - ID = 3,7 A - VGS = 2.5 V - ID = 2 A Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit - VDS = 5 V - ID = 4 A Input Capacitance – Eingangskapazität - VDS = 15 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität - VDS = 15 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität - VDS = 15 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung & Anstiegszeit VGS = -10 V - VDD = 15 V R = 3.75 Ω RG = 6 Ω Turn-Off Delay & Fall Time – Ausschaltverzögerung & Abfallzeit VGS = -10 V - VDD = 15 V R = 3.75 Ω RG = 6 Ω Typical thermal resistance junction to ambient air Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Dimensions – Maße [mm] RthA 90 K/W 1) 6 [A] VDS = 5V 5 4 3 2 -ID T j = 1 2 5 °C 1 Disclaimer: See data book page or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 T j = 2 5 °C 0 0.5 -VGS 1.0 1.5 2.0 [V] 2.5 Typical transfer characteristics Typische Übertragungskennlinien Mounted on PCB with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad an je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3