MMFTP84

MMFTP84 MMFTP84 ID RDS(on) Tjmax P-Channel Enhancement Mode FET P-Kanal FET – Anreicherungstyp = - 130 mA < 10 Ω = 150°C VDS = - 60 V Ptot = 250 mW Version 2021-05-27 3 1 2 Typical Applications Signal processing Drivers Logic level converter Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Treiberstufen Logikpegelwandler Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features Fast switching times Compliant to RoHS (w/o exemp.) REACH, Conflict Minerals 1) RoHS EE WE Pb EL V SOT-23 TO-236 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) SPICE Model & STEP File 1) Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS (ohne Ausn.) REACH, Konfliktmineralien 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking Code SP HS Code 85412100 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMFTP84 Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung D open Power dissipation – Verlustleistung Drain current – Drainstrom DC Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur - VDS 60 V VGSO ± 20 V Ptot 250 mW 3) - ID 130 mA - IDM 520 mA Tj TS +150°C -55…+150°C Dimensions – Maße [mm] 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTP84 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. - V(BR)DSS 60 V – – - IDSS – – 100 nA 10 µA 60 µA IGSS – – ± 10 nA - VGS(th) 0.8 V – 2V RDS(on) – – 10 Ω ‫׀‬gfs‫׀‬ 50 mS – – Ciss – – 45 pF Coss – – 25 pF Crss – – 12 pF t(on) – 3 ns – t(off) – 7 ns – Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung - ID = 10 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom - VDS = 40 V - VDS = 50 V - VDS = 50 V, Tj = 125°C Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 20 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VGS, - ID = 1 mA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand - VGS = 10 V, - ID = 130 mA Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit - VDS = 25 V, - ID = 130 mA Input Capacitance – Eingangskapazität - VDS = 25 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität - VDS = 25 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität - VDS = 25 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Anstiegszeit VGS = 0 ... -10 V, - VDD = 40 V, - ID = 200 mA Turn-Off Time – Abfallzeit VGS = -10 ... 0 V, - VDD = 40 V, - ID = 200 mA Typical thermal resistance junction to ambient air Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA -0.6 500 K/W 1) -0.6 VDS = 10V [A] MMFTP84 [A] -0.5 VGS = -10V VGS = -7.5V -0.5 -0.4 VGS = -5V -0.4 T j = -55°C VGS = -6V T j = 150°C -0.3 -0.3 -0.2 -0.2 VGS = -4V VGS = -3V -0.1 Tj = 25°C ID 0 1.0 VGS 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 [V] 5.0 Typica l tra nsfe r cha ra cte ristics Typische Übe rtra gungske nnlinie n 1 2 Disclaimer: See data book page or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet -0.1 ID 0 VG S = -2.5V 0 VDS -4 -6 -8 [V] 2 Typica l output cha ra cte ristics ) 2 Typische Ausga ngske nnlinie n ) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG