MPSA42-BK

MPSA42-BK MPSA42-BK NPN Version 2011-07-07 High voltage Si-epitaxial planar transistors Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren Power dissipation Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse NPN 625 mW TO-92 (10D3) 0.18 g 4.6 4.6±0.1 ±0.1 E BC min 12.5 Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Special packaging bulk Sonder-Lieferform Schüttgut 2 x 1.27 Dimensions / Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Base current – Basisstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open VCEO VCBO VEBO Ptot IC IB Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA42 300 V 300 V 6V 625 mW 1) 500 mA 100 mA -55...+150°C -55…+150°C Tj TS Characteristics (Tj = 25°C) Min. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 200 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, VEB = 6 V IC = 20 mA, IB = 2 mA MPSA42 2 Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. – – – Max. 100 nA 100 nA 500 mV MPSA42 ICB0 IEB0 VCEsat – – – Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) MPSA42 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MPSA42-BK Characteristics (Tj = 25°C) Min. Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) IC = 20 mA, IB = 2 mA DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 10 V, IC = 1 mA VCE = 10 V, IC = 10 mA VCE = 10 V, IC = 30 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MPSA42 CCB0 RthA – – < 200 K/W 2) MPSA92 3 pF fT 50 MHz – – hFE hFE hFE 25 40 40 – – – – – – VBEsat – – 0.9 V Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. Max. 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2