MPSA43

MPSA42 / MPSA43 MPSA42 / MPSA43 NPN Version 2005-06-17 Power dissipation Verlustleistung E BC High voltage Si-epitaxial planar transistors Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren NPN 625 mW TO-92 (10D3) 0.18 g 16 Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 9 18 2 x 2.54 Dimensions / Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Base current – Basisstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open VCEO VCBO VEBO Ptot IC IB Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA42 300 V 300 V 6V 625 mW 1) 500 mA 100 mA -65...+150°C -65…+150°C MPSA43 200 V 200 V Tj TS Characteristics (Tj = 25°C) Min. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 200 V IE = 0, VCB = 160 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, VEB = 6 V IB = 0, VEB = 4 V MPSA42 MPSA43 MPSA42 MPSA43 IEB0 IEB0 VCEsat VCEsat – – – – MPSA42 MPSA43 ICB0 ICB0 – – Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. – – – – – – Max. 100 nA 100 nA 100 nA 100 nA 500 mV 400 mV Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2) IC = 20 mA, IB = 2 mA 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MPSA42 / MPSA43 Characteristics (Tj = 25°C) Min. Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) IC = 20 mA, IB = 2 mA DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 10 V, IC = 1 mA VCE = 10 V, IC = 10 mA VCE = 10 V, IC = 30 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MPSA42 MPSA43 CCB0 CCB0 RthA – – – – < 200 K/W 2) MPSA92, MPSA93 3 pF 4 pF fT 50 MHz – – hFE hFE hFE 25 40 40 – – – – – – VBEsat – – 0.9 V Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. Max. 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 1 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2